پایان نامه بهبود عملکرد ترانزیستور های اثر میدانی تونلی tunnel fet

با پیدایش تکنولوژی مدار مجتمع (IC) یک دوره ای از الکترونیک با قابلیت های غیر قابل تصور و قدرت محاسباتی بالا آغاز شد. دهه ها پیشرفت در کوچک سازی پیوسته ابعاد ترانزیستور منجر به چگالی مدار بزرگتر و عاملیت بیشتر و هزینه کمتر در ازاء هر تابع شده است. اما صنعت تراشه سازی با یک بحران روبرو است. اگرچه کوچک سازی ترانزیستور برای بالا بردن عملکرد فراهم شده، همچنین آن باعث افزایش توان در واحد سطح یک تراشه می شود. این موضوع در امروز آشکار شده است به طور نمونه یک میکروپروسسور مبتنی برCMOS ، در نزدیکی چگالی توان یک راکتور هسته ای کار می کند

برای دریافت اطلاعات بیشتر و دانلود به ادامه مطلب مراجعه نمایید.

 

ادامه مطلب ...